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                      SOI制备 SOI技术  |  SOI应用  |  SOI制备  |  SOI规格  |  SOI优势
                      做为SOI材料世界级供应商,新傲采用四种技术为客户提供全方位SOI解决方案。


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                      1. SIMOX

                            SIMOX是注氧隔离技术的简称。新傲科技采用此技术在普通圆片的层间注入氧离子以形成隔离层。此方法有两个关键步骤:离子注入和退火。
                            在注入过程中,氧离子被注入圆片里,与硅发生反应形成二氧化硅沉淀物。然而注入对圆片造成相当大的损坏,而二氧化硅沉淀物的均匀性也不很好。随后进行的高温退火能帮助修复圆片损坏层并使二氧化硅沉淀物的均匀性保持一致。这时圆片的质量得以恢复而二氧化硅沉淀物所形成的埋层具有良好的绝缘性。




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                      2. Bonding

                            通过在硅和二氧化硅或二氧化硅和二氧化硅之间使用键合技术,两个圆片能够紧密键合在一起,并且在中间形成二氧化硅层充当绝缘层。键合圆片在此圆片的一侧削薄到所要求的厚度后得以制成。
                            这个过程分三部来完成。第一部是在室温的环境下使一热氧化圆片在另一非氧化圆片上键合;第二部是经过退火增强两个圆片的键合力度;第三部通过研磨、抛光及腐蚀来减薄其中一个圆片到所要求的厚度。




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                      3. Simbond

                            在传统的键合和离子注入技术的基础上,新傲及其合作伙伴发展了制备SOI材料的又一种方法:Simbond。 即在硅材料上注入离子,产生了一个分布均匀的离子注入层。此层用来充当化学腐蚀阻挡层,可对圆片在最终抛光前器件层的厚度及其均匀性有很好的控制。采用新傲所首创的Simbond技术制备的SOI硅片具有优越的SOI薄膜均匀性,同时也能得到厚的绝缘埋层。




                      4.Smart-cut ?技术

                            Smart Cut ? 技术是世界领先的SOI制备技术。 
                      第一步热氧化;
                      第二步是在圆片中注入氢。
                      第三步清洗& Bonding。
                      第四步 切割。
                      第五步: 退火&研磨,抛光及腐蚀减薄两片圆片达到所要求的厚度。

                       

                       


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                      新傲科技采用SIMOX,BONDING,SIMBOND和Smart-Cut四种方法,利用从美国和日本知名设备制造 商进口的先进设备来制备SOI材料, 以确保新傲圆片能够达到国际半导体标准, 并能够满足当今世界主流IC生产线的要求。 依靠美国MT公司强大而持续的技术支持,整合国产化衬底片良好的性价比以及以及新傲自身强大而灵活的加工能力优势,新傲向客户提供专业化得外延服务。
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